DRAM 模块市场飙升 59%，供应短缺在 2028 年前不太可能缓解

随着人工智能服务器需求重塑整个内存市场格局，DRAM模块领域（即将DRAM芯片封装到基板上形成成品）去年实现近60%的增长。与此同时，长鑫存储正利用行业繁荣带来的资金，将其设备投资承诺增加近三倍，这加剧了韩国制造商面临的压力。

据TrendForce数据，去年全球DRAM模块市场规模达到212.17亿美元，较上年增长59%。相比之下，2024年该市场预计仅增长7%，当前增速是那时的八倍多。同期，全球DRAM市场总规模估计为1657亿美元。

DRAM模块是一种内存组件，将多个DRAM芯片封装在单个基板上，用于安装在个人电脑或服务器中。在人工智能时代，随着处理海量数据的服务器数量激增，对高容量、高速DRAM模块的需求也随之增长。其供应链运作方式如下：三星电子和SK海力士生产的芯片，由金士顿、威刚科技和Ramaxel等专业模块制造商封装到基板上，然后由这些制造商销售成品。

排名前五的内存模块厂商合计占据77%的市场份额。金士顿以62%的份额继续保持领先，其次是威刚（ADATA）6%，Ramaxel 4%。

内存模块制造商正迅速拓展产品线，从面向个人电脑的内存产品扩展到工业和企业级服务器领域。TrendForce指出，DDR5在去年下半年成为内存模块制造商的旗舰产品，而持续拓展服务器级产品预计将推动长期需求。随着面向AI和通用服务器的高容量DDR5和RDIMM产品线不断扩展，DRAM模块市场的增长基础正从消费级应用转向企业级应用。

上半年领先，下半年服务器需求旺盛

上下半年的需求驱动因素截然不同。上半年，受关税担忧和DRAM厂商计划停止DDR4生产影响，提前采购推动需求增长。内存模块厂商增加库存以应对供应中断风险，PC制造商和消费电子公司也加快采购。

下半年，北美和中国的云服务提供商（CSP）增加服务器DRAM订单，以确保智能体AI服务所需的计算资源。由于DRAM制造商优先保障服务器级产品产能，PC和消费级应用供应趋紧，从而推动下半年模块制造商出货量和收入更大幅度增长。

TrendForce预测，即使新晶圆厂从2027年下半年开始真正提高产量，有意义的供应贡献也要到2028年才会出现。服务器DRAM合约价格预计从今年下半年到2027年下半年每个季度上涨，但涨幅逐渐放缓。

AI服务器需求增长对三星电子和SK海力士都是利好。AI服务器需要高带宽内存（HBM）、高容量DDR5以及其他标准服务器DRAM。三星电子第二季度内存业务业绩创历史新高，并计划在下半年扩大HBM4和DDR5销售。SK海力士已与约10家客户签署长期供货协议，其中包括一些重要战略客户。

长鑫存储投资承诺增至三倍——又一家受益于存储热潮的公司

内存市场周期上涨的红利并非只流向韩国企业。中国最大DRAM制造商长鑫存储在其半年报中披露，截至6月底，长期资产购置和建设的未履行承诺金额为524.4389亿元（约合78亿美元），比去年年底的171.2939亿元（约合26亿美元）增长206.2%。长期资产购置和建设承诺金额，是指尚未反映在资产负债表上的已签约金额，本质上是未来将要执行的投资合同规模。

现有生产线建设也接近尾声。合肥一期和二期生产线以及北京生产线已完成96%至98%，三个厂区规划建设基本完成。CXMT在扩大产能的同时，也向智能手机制造商供应最新移动DRAM，并正与主要客户洽谈长期供货协议。

繁荣时期产生的现金流为再投资提供了动力。CXMT上半年营业利润达1171.4439亿元（约合175亿美元），扭转去年同期亏损局面。其披露的营业利润率为77.9%，高于同期三星电子半导体部门（68.3%）和SK海力士（74.4%）。上半年经营现金流总计1311.5567亿元（约合195亿美元），约为去年同期的31倍。

技术研发投入也在扩大。上半年研发支出（包括已资本化为资产的研发成本）达到68.5948亿元（约合10亿美元），同比增长87.4%。通过7月上市和行使超额配售选择权募集的资金共计666.0067亿元（约合99亿美元），将用于现有生产线改进、DRAM技术进步以及下一代研发。

工艺技术方面也取得里程碑式进展。9月20日，长鑫存储在中国世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM技术平台已开始量产。该公司表示，以8Gb容量为基准，每片晶圆芯片数量比第四代至少提升50%。采用该工艺的两款24Gb LPDDR5X也已投入量产。此前，该公司于7日宣布，其下一代低功耗DRAM——LPDDR6——已开始量产，并应用于小米折叠屏手机“18 Fold”。

据TrendForce数据，CXMT第二季度全球DRAM营收份额上升至9.5%，较第一季度的7.6%增长1.9个百分点。其同期营收增长率高达99.3%，远超市场整体59.5%的增速。上半年营收中，LPDDR产品占比52.0%，DDR产品占比46.2%。

一位半导体行业人士表示：“长鑫科技正着手将本轮繁荣时期积累的资金转化为能够在下一轮周期中保持竞争力的生产基地。如果他们能够确保新工艺良率并获得长期订单，即使DRAM价格未来下跌，业务稳定性也能显著提升。”该人士补充道：“这将使韩国企业更难捍卫DRAM的商品价格。”

NAND市场也面临短缺——eSSD是关键变量

继DRAM之后，NAND闪存市场也出现供应短缺预测。花旗集团在一份全球半导体报告中预测，随着人工智能从“训练后参数固定”模式转向“持续学习”，企业级固态硬盘（eSSD）需求将激增。持续学习要求AI系统在使用过程中既保留现有训练数据，又吸收新信息，这就产生对海量历史数据集的长期存储和快速检索需求。

花旗预测，2027年eSSD需求将同比增长52.9%，而NAND市场在2027年和2028年将分别面临6.1%和5.5%的供应缺口。虽然2026年供应缺口预计仅为0.8%，但分析表明，存储器制造商正在优先考虑DRAM和HBM新产能，这意味着NAND供应增长无法跟上需求增长。

预计2027年NAND闪存需求增长29%，2028年增长33%，而同期供应增长预计分别仅为21%和25%。行业平均NAND晶圆产能预计到2027年仅增长3.2%，达到每月146万片，而三星电子NAND产能预计下降4.7%。

预计到2027年，全球存储器资本支出将达到804亿美元，同比增长46.5%。其中，DRAM占586亿美元，NAND占218亿美元。HBM位元需求预计到2027年增长62%至751.57亿Gb，到2028年增长69%至1269.9亿Gb。

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