台积电再掀建厂潮？六座晶圆厂，五座封装厂

半导体行业观察·2026年09月29日 10:18

台积电在美国扩晶圆厂、在台扩先进封装，应对AI需求

台积电

未披露上海市2003-08

集成电路制造服务模式提供商

36氪报道先进制造

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台积电，已然成为了芯片行业必不可缺的重要角色。

据Counterpoint Research的统计数据显示，台积电今年第二季纯晶圆代工市占率达71%，进一步拉大与后来者的差距。 Counterpoint指出，台积电成长动能主要来自2纳米制程进入量产、3纳米产能持续爬坡，加上8吋、12吋成熟制程与先进封装产能供不应求，让台积电掌握更强议价能力，营收能见度同步提升。

现在，随着各大手机厂商开始发力、数据中心的爆发，各种先进制程芯片需求暴增，进而推动台积电加大扩张力度。从最新的报道可以看到，台积电不但开始扩展晶圆厂，还在建设封装厂。

赴美再建六座晶圆厂？

据台媒引述半导体设备产业链近期传出消息称，继亚利桑那州之后，台积电正在评估建设美国第二座大型制造园区，规划再建设六座先进晶圆厂，潜在落脚点被指向得州达拉斯及北德州地区。如果相关计划最终落地，台积电在美国将形成亚利桑那、德州两大先进制造基地，进一步完善当地半导体产业链。

截至目前，台积电尚未对此消息作出正式回应。不过，近期“台积电将在德州建设新厂”的消息已经在半导体供应链内部流传，多家供应链厂商表示确实听到过相关讨论，但目前台积电尚未正式要求供应商提前进行建厂准备，因此具体规划仍存在变数。

台积电扩大美国布局的背后，核心驱动力之一是AI和高性能计算（HPC）需求持续增长。目前，台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的制造基地已经将总投资规模提高至约2650亿美元，规划建设六座晶圆厂、两座先进封装厂以及一个研发中心，目标是打造覆盖晶圆制造、先进封装和研发的完整制造集群。

随着AI加速器性能不断提升，先进制程已经不再是唯一关键，CoWoS等2.5D/3D先进封装以及HBM等技术的重要性也越来越高。对于英伟达、AMD等AI芯片客户而言，晶圆制造、先进封装和高带宽存储之间需要形成更加紧密的供应链协同。因此，台积电在美国建设先进晶圆厂的同时，也在逐步将先进封装能力向当地延伸。

美国市场则是台积电扩大当地制造的重要原因。苹果、英伟达、AMD、高通等美国企业都是台积电的重要客户，随着美国持续推动先进芯片制造本土化，客户对于本地生产能力的需求不断增加。与此同时，美国贸易政策和关税政策的不确定性，也使得台积电进一步靠近美国客户和终端市场。

在潜在选址方面，达拉斯及北德州具备较为完整的半导体产业基础。当地长期被称为“硅草原”，已经形成晶圆制造、半导体设备、材料、光通信以及电子制造等产业集群。德州仪器在当地拥有大规模制造基地，三星也在奥斯汀布局晶圆厂，周边同时聚集了众多电子、通信和高科技企业。

对于台积电而言，德州的另一项吸引力来自能源、土地和人才资源。先进晶圆厂属于高耗能、高用水产业，需要稳定的电力、大量工业用地以及成熟的技术人才。随着AI数据中心快速扩张，美国部分地区的电力和基础设施压力不断上升，因此能源供应能力也成为先进晶圆厂选址的重要因素。

相比之下，台积电亚利桑那基地近年来在建设成本、劳动力以及水电等基础设施方面面临一定挑战。德州在土地、能源以及产业人才方面的优势，使其成为台积电评估美国第二园区时的重要候选地区。

如果台积电最终启动美国第二园区，由于后续晶圆厂可能采用更先进的制程节点，并配套先进封装和研发设施，其总投资规模可能超过亚利桑那州目前约2650亿美元的规划规模。

不过，目前六座晶圆厂的具体规划、投资金额和制程节点均尚未获得台积电官方确认。据供应链消息，达拉斯及北德州可能已经进入台积电选址评估的后期阶段，但最终方案仍需等待台积电董事会拍板。

如果计划最终落地，台积电在美国的布局将从单一制造基地逐步转向区域化产业布局：亚利桑那重点发展先进晶圆制造和先进封装，德州则依托当地成熟的半导体和工业生态形成新的制造核心。由此，美国先进半导体供应链也可能从“单点建厂”进一步向产业集群化发展。

在台新增5座封装工厂

AI芯片需求持续增长，先进封装正成为继先进制程之后，半导体产业扩产的另一大重点。随着嘉义科学园区扩建计划启动，半导体供应链近日也传出，台积电有意进一步扩大嘉义布局，评估在嘉义科学园区三期新增5座先进封装厂。若相关规划最终落实，台积电在嘉义的先进封装厂数量将由目前规划的5座增加至10座，进一步扩大当地AI先进封装产业聚落。

9月23日，中国台湾当局公告“嘉义园区扩建计划（二期扩大）”资讯公开及意见征询程序，外界称为“嘉科三期”。根据规划，扩建方向涵盖人工智能、异质封装、硅光子、高速宽带网络、量子科技及净零等领域，主要因应产业长期发展与土地需求。不过，目前相关计划仍须经过环境评估及后续审议，尚未正式定案。

根据南部科学园区管理局资料，台积电已在嘉义园区一期规划P1、P2两座先进封装厂，预计2027年量产；二期则规划P3、P4、P5三座厂房，其中P3已经动工，二期预计2031年完成开发。供应链近期传出，随着AI芯片订单持续增加，台积电正评估在三期再建设5座先进封装厂，但具体投资规模及产品规划目前尚未获得台积电证实。

这轮扩产的核心动力，仍来自CoWoS等先进封装需求快速增长。与传统封装相比，CoWoS通过硅中介层，将GPU、CPU、HBM以及I/O芯粒整合在同一封装中，可以提供更高的互连密度和带宽，降低芯片之间的数据传输延迟与功耗。目前，GPU搭配HBM已经成为AI加速器的主流架构，而HBM数量增加、芯片面积扩大，也使先进封装成为AI芯片产能的重要瓶颈。

台积电的先进封装布局实际上已经发展超过十年。2012年，台积电开始量产CoWoS，早期主要应用于FPGA、网络芯片及高性能计算产品。随着生成式AI快速发展，GPU与HBM需求爆发，CoWoS的重要性大幅提升，台积电也持续扩大产能并推动封装技术升级。

目前CoWoS已经从早期方案不断向更大封装尺寸演进。台积电先后发展CoWoS-S、CoWoS-R及CoWoS-L等技术，其中CoWoS-L通过重布线层与局部硅互连相结合，可以突破传统硅中介层尺寸限制，更适合大型AI芯片和多芯粒系统。同时，台积电还持续推进SoIC等3D封装技术，通过混合键合实现芯粒垂直堆叠，并将CoWoS、SoIC等技术纳入3DFabric平台，为未来Chiplet及异构集成提供基础。

值得注意的是，嘉义扩建规划除了先进封装，也将硅光子列为重点发展方向。随着AI数据中心网络向1.6T、3.2T甚至更高速率演进，传统电互连面临功耗和带宽压力，硅光子、光电共封装等技术的重要性不断提升。未来AI芯片的竞争，也可能从GPU与HBM之间的高速互连进一步延伸至芯片与网络之间的光互连。

与此同时，高雄桥头白埔产业园区也已启动建设，定位为半导体先进封装材料与设备供应链聚落，规划AI先进制造基地以及设备、材料验证基地。园区面积约88.73公顷，预计2027年第一季度开放厂商租地建厂，2029年第二季度完成标准厂房建设。

从嘉义到高雄，台湾南部正在形成围绕AI芯片的先进制造、封装、设备和材料产业链。对于台积电而言，嘉义扩产不仅是CoWoS产能的延伸，也是在为更大尺寸封装、HBM4、Chiplet以及未来光电融合封装提前准备制造空间。